IS43LD16256C-25BPLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LD16256C-25BPLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 168-VFBGA (12x12) |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
Verpackung / Gehäuse | 168-VFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Gbit |
Speicherorganisation | 256M x 16 |
Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 400 MHz |
Grundproduktnummer | IS43LD16256 |
Zugriffszeit | 5.5 ns |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16,
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43LD16256C-25BPLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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Zielpreis (USD)
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